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NE6510179A-T1 参数 Datasheet PDF下载

NE6510179A-T1图片预览
型号: NE6510179A-T1
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内容描述: NEC的3W , L& S波段中功率的GaAs HJ- FET [NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 10 页 / 287 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE6510179A  
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)  
DRAIN CURRENT vs.  
DRAIN VOLTAGE  
TRANSCONDUCTANCE AND DRAIN  
CURRENT vs. GATE VOLTAGE  
2.50  
1.00  
3
2.5  
2.00  
1.50  
0.8  
0.6  
V
GS =  
0 V  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
-0.2 V  
-0.4 V  
-0.6 V  
1.00  
0.4  
0.2  
0
0.50  
0
-0.8 V  
-1.0 V  
-1.0  
-.80  
-.60  
-.40  
-.20  
0.00  
0
1
2
3
4
5
6
Drain Voltage, VD (V)  
Gate Voltage, GV (V)  
ARRHENIUS PLOTS vs.  
JUNCTION TEMPERATURE  
MAXIMUM AVAILABLE GAIN vs.  
FREQUENCY  
30  
25  
1.0E+07  
1.0E+06  
1.0E+05  
1.0E+04  
1.35E+06 Hrs  
(TCH = 110°C)  
20  
15  
EA = 1.0EV  
2.2 V, 200 mA  
4.6 V, 300 mA  
3.5 V, 150 mA  
1805 Hrs  
(TCH = 217°C)  
10  
5
1.0E+03  
1.6  
1.8  
2
2.2  
2.4  
2.6  
2.8  
3
0.1  
4.0  
Junction Temperature, T/TCH (1/K/1000)  
Frequency, GHz