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NE3510M04-T2-A 参数 Datasheet PDF下载

NE3510M04-T2-A图片预览
型号: NE3510M04-T2-A
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内容描述: 异质结型场效应晶体管 [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 181 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE3510M04  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA = +25$C)  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
ID  
MIN.  
TYP.  
2
MAX.  
Unit  
V
<
<
<
3
30  
0
15  
<
mA  
dBm  
Input Power  
Pin  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25$C, unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
IGSO  
Test Conditions  
MIN.  
<
TYP.  
0.5  
70  
MAX.  
10  
Unit  
+A  
Gate to Source Leak Current  
Saturated Drain Current  
Gate to Source Cutoff Voltage  
Transconductance  
VGS = <3 V  
IDSS  
VDS = 2 V, VGS = 0 V  
42  
97  
mA  
V
VGS (off)  
gm  
VDS = 2 V, ID = 100 +A  
VDS = 2 V, ID = 15 mA  
<0.35  
70  
<0.7  
<
<1.10  
<
mS  
dB  
Noise Figure  
NF  
VDS = 2 V, ID = 15 mA, f = 4 GHz  
<
0.45  
16  
0.65  
<
Associated Gain  
Ga  
14.5  
<
dB  
Gain 1 dB Compression  
Output Power  
PO (1 dB)  
VDS = 2 V, ID = 15 mA (Non-RF),  
f = 4 GHz  
+11  
<
dBm  
2
Data Sheet PG10676EJ01V0DS