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NE3509M04 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE3509M04
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内容描述: L到S波段低噪声放大器N沟道HJ -FET [L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 1257 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE3509M04  
REFERENCE DATA  
MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN  
vs. DREIN CURRENT  
MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN  
vs. DREIN TO SOURCE VOLTAGE  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
f=2.5GHz, VDS=2V  
Ga  
Ga  
f=2.5GHz, IDS=10mA  
NFmin  
NFmin  
6
6
4
4
2
2
0
0
0
10  
20  
30  
40  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
Drein Current ID (mA)  
Drein to Source Voltage VDS (V)  
@f=2.4GHz, VDS=2V, ID=10mA(non-RF)  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
40  
30  
20  
10  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
-80  
Pout(2tone)  
IM3L  
IM3H  
Id  
0
-25  
-20  
-15  
-10  
-5  
0
5
10  
15  
Pin (dBm)