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    BZX84C18VLYFH

     BZX84C18VLYFH是适用于恒定电压控制用途的齐纳二极管。采用非常普遍的SOT-23封装，容易进行设计。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
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     This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
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    GRM1551X1H4R0BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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     Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, Bare Die
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    GRM0225C1C5R9DA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    NXV08H400XT2

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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    FDMA1025P

     双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ
    脉冲光电二极管晶体管
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    GRT033R70J332KE01#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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