欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS616LV1010AI 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1010AI图片预览
型号: BS616LV1010AI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 217 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV1010AI的Datasheet PDF文件第10页  
BSI  
BS616LV1010  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 0oC to + 70oC, Vcc = 3.0V )  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
BS616LV1010-70  
MIN. TYP. MAX.  
PARAMETER  
NAME  
DESCRIPTION  
Write Cycle Time  
UNIT  
70  
70  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
tWC  
tCW  
tAS  
AVAX  
Chip Select to End of Write  
Address Setup Time  
t
E1LWH  
--  
t
AVWL  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
70  
50  
0
--  
--  
t
tAW  
tWP  
tWR  
tBW  
tWHZ  
tDW  
tDH  
AVWH  
t
WLWH  
Write recovery Time  
(CE,WE)  
(LB,UB)  
--  
t
WHAX  
Date Byte Control to End of Write  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
60  
0
--  
t
BW  
30  
--  
t
WLQZ  
30  
0
t
DVWH  
--  
t
WHDX  
0
30  
t
tOHZ  
GHQZ  
tWHOX  
tOW  
End of Write to Output Active  
5
--  
--  
ns  
„ SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE1 (1)  
t
WC  
ADDRESS  
OE  
(3)  
WR  
t
(11)  
CW  
t
(5)  
CE  
t
BW  
LB,UB  
t
AW  
(3)  
t
WP  
(2)  
t
AS  
(4,10)  
OHZ  
WE  
t
D OUT  
t
DH  
t
DW  
D IN  
Revision 2.2  
April 2001  
R0201-BS616LV1010  
6