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BS616LV2021 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS616LV2021
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 255 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
BS616LV2021  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 0oC to +70oC, Vcc =3.0V )  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
BS616LV2021-70  
MIN. TYP. MAX.  
BS616LV2021-10  
UNIT  
PARAMETER  
NAME  
DESCRIPTION  
MIN. TYP. MAX.  
Write Cycle Time  
70  
70  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
100  
100  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tWC  
tCW  
tAS  
tAVAX  
tE1LWH  
Chip Select to End of Write  
Address Setup Time  
--  
--  
tAVWL  
tAVWH  
tWLWH  
tWHAX  
tBW  
tWLQZ  
tDVWH  
tWHDX  
tGHQZ  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
70  
35  
0
--  
100  
50  
0
--  
tAW  
tWP  
tWR  
--  
--  
Write recovery Time  
(CE2, CE1,WE)  
--  
--  
(1)  
Date Byte Control to End of Write  
Write to Output in High Z  
(LB,UB)  
30  
0
--  
40  
0
--  
tBW  
30  
--  
40  
--  
tWHZ  
tDW  
tDH  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
30  
0
40  
0
--  
--  
0
30  
0
40  
tOHZ  
tOW  
tWHOX  
End of Write to Output Active  
5
--  
--  
10  
--  
--  
ns  
NOTE :  
1. tBW is 30ns/40ns (@speed=70ns/100ns) with address toggle. ; tBW is 70ns/100ns (@speed=70ns/100ns) without address toggle .  
„ SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE1 (1)  
t
WC  
ADDRESS  
(3)  
t
WR  
OE  
(5)  
(5)  
CE2  
CE1  
(11)  
CW  
t
t
BW  
(5)  
LB,UB  
t
AW  
(3)  
t
WP  
(2)  
t
AS  
WE  
(4,10)  
t
OHZ  
D OUT  
t
DH  
t
DW  
D IN  
Revision 2.4  
April 2002  
R0201-BS616LV2021  
8