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BS616LV2013AC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS616LV2013AC
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 242 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV2013  
BSI  
„ PACKAGE DIMENSIONS  
UNIT  
SYMBOL  
HD  
INCH  
0.0433̈́0.004  
MM  
A
1.10̈́0.10  
0.10̈́0.05  
1.00̈́0.05  
0.22̈́0.05  
0.20̈́0.03  
0.10 ~ 0.21  
0.10 ~ 0.16  
16.40̈́0.10  
12.00̈́0.10  
0.50̈́0.10  
18.00̈́0.20  
0.60̈́0.15  
0.80̈́0.10  
0.1 Max.  
C
L
A1 0.004̈́0.002  
A2 0.039̈́0.002  
0.009̈́0.002  
b1 0.008̈́0.001  
0.004 ~ 0.008  
c1 0.004 ~ 0.006  
1
48  
b
c
D
E
e
0.645̈́0.004  
0.472̈́0.004  
0.020̈́0.004  
HD 0.708̈́0.008  
0.0236̈́0.006  
L
24  
25  
12̓(2x)  
L1 0.0315̈́0.004  
Seating Plane  
y
y
Ӱ
0.004 Max.  
"A"  
0̓~ 8̓  
0̓~ 8̓  
D
GAUGE PLANE  
A
A
24  
25  
SEATING PLANE  
12̓(2x)  
L
b
L1  
WITH PLATING  
"A" DETAIL VIEW  
c
c1  
BASE METAL  
b1  
SECTION A-A  
48  
1
TSOP1-48PIN  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
1
48  
47  
46  
A16  
NC  
VSS  
IO15  
IO7  
IO14  
IO6  
A8  
IO13  
IO5  
NC  
NC  
/WE  
CE2  
NC  
/UB  
/LB  
NC  
NC  
A7  
9
10  
IO12  
IO4  
Pkg Type :  
37  
VCC  
IO11  
IO3  
13  
48TSOP(I)-12x18mm  
IO10  
IO2  
16  
17  
IO9  
IO1  
A6  
IO8  
A5  
IO0  
A4  
/OE  
VSS  
/CE  
A0  
A3  
27  
25  
A2  
A1  
24  
Revision 2.5  
April 2002  
R0201-BS616LV2013  
9