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     This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
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    GRM1552C1E7R1CA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM188R71C274KA01#

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    R6524KNJ

     R6524KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
    开关
    0 ROHM

    NTC160N120SC1

     Silicon Carbide MOSFET, N‐Channel, 1200 V, 160 mΩ, Bare Die
    暂无信息
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    GRM0225C1E7R7WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    FDB8447L

     N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，50A，8.5mΩ
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    GRM0222C1E9R0BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM1552C2A4R1CA01#

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    F3L11MR12W2M1_B74

     phase leg
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    80-M1126PA010M7-K217F7

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
    暂无信息
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    GRM1555C2A1R6WA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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