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GRM219R11H123KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FQT7N10TF

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,1.7 A,350 mΩ,SOT-223
暂无信息
0 ONSEMI

GRM32MR11H823JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

80-M312PMA150M7-K420A8

Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC
暂无信息
0 VINCOTECH

GCM1885C1H620FA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

ZRB18AD71A106KE01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

-SL10B2A200S704-PA58L98Z

Low collector emitter saturation voltage;High speed and smooth switching
暂无信息
0 VINCOTECH

GQM2195C2E5R9BB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDP150N10A-F102

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,50A,15mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

BM28723AMUV

BM1050AF是组合了应对高次谐波的功率因数校正(Power Factor Correction)转换器(以下简称PFC部)与DC/DC转换器(以下简称DC/DC部)的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作,有助于实现低EMI。BM1050AF内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部均外接开关MOSFET及电流检测电阻,可实现自由度高的电源设计。PFC部采用峰值电流控制。利用带AC电压过低补偿电路的乘法器、应对负载变动的电路、最大功率补偿电路等各种保护电路,提供合适的应用方案。此外,内置跳频功能,有助于实现低EMI。DC/DC部的准谐振方式为软开关动作,有助于实现低EMI。内置脉冲串模式,可降低轻负载时的功耗。内置了软启动功能、脉冲串功能、逐周期过电流限制、过电压保护、过负荷保护等各种保护功能。与微控制器间设有通信控制用端子、外部停止端子,可提供适用于各种应用的系统方案。
通信开关控制器微控制器软启动脉冲功率因数校正转换器
0 ROHM

GCM2165C2A122GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM31A7U2J181JW31#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
2 MURATA

GRM033B31E332MA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

ISP26DP06NMS

OptiMOS™ P-channel small signal MOSFETs 60V in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications. The main advantage of a P-channel small signal device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Enabling fast switching, avalanche ruggedness and an easy interface to microcontroller unit (MCU), also featuring a very low on-resistance RDS(on). It is available in logic level.
暂无信息
0 INFINEON

PSMN0R9-25YLD

N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction
开关脉冲晶体管
0 NEXPERIA