FDS6961AZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6961AZ
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内容描述：	晶体管\| MOSFET \|对匹配的\| N沟道\| 30V V（ BR ） DSS \| 3.5AI （ D） \| SO\n [TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| SO ]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 64 K
品牌：	ETC [ ETC ]

FDS6961AZ

2001年9月

FDS6961AZ

双N沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET产生

运用

飞兆半导体

安森美半导体

先进

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持

出色的开关性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电应用的低线供电

损耗和快速开关是必需的。

特点

•

3.5 A， 30 V

DS （ ON）

= 90毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 140毫欧@ V

= 4.5 V

•

低栅极电荷（ 2.1 NC典型值）

•

ESD保护二极管（注3）

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

=25

C除非另有说明

参数

评级

±20

（注1A ）

单位

3.5

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到+150

°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJ

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6961AZ

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

FDS6961AZ

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS6961AZ版本C （ W）

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