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MMBT3906 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906图片预览
型号: MMBT3906
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内容描述: 金誉半导体, HT品牌 [金誉半导体,HT品牌]
分类和应用: 晶体半导体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 1457 K
品牌: ETC [ ETC ]
 浏览型号MMBT3906的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT3906
晶体管( PNP )
特点
互补型的
NPN
晶体管
MMBT3904是
R
ECOMMENDED
外延
平面模具结构
(3)C
SOT-23
标记: 2A
1.基地
2
A
(1)B
(2)E
2.辐射源
3.收集
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
T
英镑
参数
价值
-40
-40
-5
-200
200
625
150
-55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗
热阻结到环境
结温
储存温度
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
TEST
条件
-40
-40
-5
-0.1
-50
-0.1
100
60
30
-0.3
-0.95
300
35
35
225
75
V
V
兆赫
nS
nS
nS
nS
300
最大
单位
V
V
V
μA
nA
μA
V
( BR )
CBO
I
C
= -10μA ,我
E
=0
V
( BR )
首席执行官
I
C
= -1mA ,我
B
=0
V
( BR )
EBO
I
E
= -10μA ,我
C
=0
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
=-30V,V
BE (OFF)的
=-3V
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -50mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
V
CE
= -20V ,我
C
=-10mA,
f=
100MHz
V
CC
=-3V,V
BE
=-0.5V
I
C
= -10mA ,我
B1
=-I
B2
=-1mA
V
CC
=-3V,I
C
=-10mA,
I
B1
=-I
B2
=-1mA
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止
集电极截止
发射极截止
当前
当前
当前
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
h
FE(1)
O
100-200
分类
范围
Y
200-300
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05