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MMBT3904 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904图片预览
型号: MMBT3904
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内容描述: 互补型PNP晶体管MMBT3906推荐 [Complementary Type The PNP Transistor MMBT3906 is Recommended]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 443 K
品牌: ETC [ ETC ]
 浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT3904
晶体管( NPN )
特点
互补型的
PNP
晶体管
MMBT3906
建议
外延
平面模具结构
标记:上午01点
(3)C
SOT-23
1AM
(1)B
(2)E
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
T
英镑
参数
价值
60
40
6
200
200
625
150
-55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗
热阻
结toAmbient
结温
储存温度
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
TEST
条件
60
40
6
0.1
50
0.1
100
60
30
0.3
0.95
300
35
35
200
50
V
V
兆赫
nS
nS
nS
nS
400
最大
单位
V
V
V
μA
nA
μA
V
( BR )
CBO
I
C
= 10μA ,我
E
=0
V
( BR )
首席执行官
I
C
= 1mA时,我
B
=0
V
( BR )
EBO
I
E
= 10μA ,我
C
=0
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
CE
=30V,V
BE (OFF)的
=3V
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 100毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 20V ,我
C
=10mA,
f=
100MHz
V
CC
=3V,V
BE
=-0.5V
I
C
= 10毫安,我
B1
=-I
B2
=1.0mA
V
CC
=3V,I
C
=10mA,
I
B1
=-I
B2
=1mA
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止
集电极截止
发射极截止
当前
当前
当前
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
h
FE(1)
O
100-200
分类
范围
Y
200-300
G
300-400
1 
金隅
半导体
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D�½��½��½�:2011/05