AO3407 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3407
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement-Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 289 K
品牌：	ETC [ ETC ]

AO3407

电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

漏源导通电阻

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

正向跨导

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

马克斯。二极管的正向电流

二极管的正向电压

符号

测试条件

分钟。

典型值。

Miax 。

单位

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= -250uA

= -10V ，我

= -4.1A

= -4.5V ，我

= -3A

-30

48.0

64.0

64.5

87.0

mΩ

GS （ TH）

DSS

GSS

, I

= -250uA

= -24V, V

= 0V

20V, V

= 0V

= -5V ，我

= -

-1.0

-1

-3.0

-1

100

5.5

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

= -15V ，我

= -5.3A

= -10V

9.35

3.43

1.7

10.8

= -15V ， RL = 15Ω

= -1 A，V

根

= -10 V

= 6Ω

2.33

22.53

3.87

551.57

90.96

60.79

= -15 V, V

= 0V

F = 1.0 MHz的

= 2.6 A，V

= 0V

-2.6

-1.3

注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％

-2-

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