AO3400
30V N沟道增强型MOSFET
VDS = 30V
RDS ( ON ) , V GS @ 10V , Ids@5.8A < 28mΩ
RDS ( ON ) , Vgs@4.5V , Ids@5.0A < 33mΩ
RDS ( ON ) , Vgs@2.5V , Ids@4.0A < 52mΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
包装尺寸
D
SOT-23-3L
G
S
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.65
2.95
1.50
1.70
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
最大额定值和热特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
TA = 25
o
C
最大功率耗散
工作结存储温度范围
结至环境热阻(PCB安装)
TA = 75
o
C
P
D
1
T
J
, T
英镑
R
θJA
-55到150
145
o
o
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
30
单位
V
±
12
5.8
A
30
1.4
W
C
C / W
-1-