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LC5200D 参数 Datasheet PDF下载

LC5200D图片预览
型号: LC5200D
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内容描述: SANKEN半导体 [SANKEN SEMICONDUCTORS]
分类和应用: 半导体
文件页数/大小: 226 页 / 4860 K
品牌: ETC [ ETC ]
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3-1 Thyristors  
Electrical Characteristics  
Mass  
V
TM  
V
GT  
I
GT  
VGD  
d
v
/d  
t
I
H
Rth  
Conditions  
Conditions  
Tc  
Conditions  
Conditions  
Package  
g
T
c
I
TM  
V
D
T
j
VD  
T
j
(V)  
(°C)  
(A)  
(V)  
(mA)  
max  
0.2  
(°C)  
(V)  
(V)  
(V/  
µ
s) (°C)  
(V)  
(mA) (°C/W)  
typ  
(°C)  
max  
typ  
0.7  
max  
1.5  
typ  
min  
t
yp  
max  
4.0 TO220F  
2.0  
6.0  
1.4  
25  
25  
10  
0.03  
5.0  
25  
25  
0.1  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
20  
50  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
4.0  
SIP12 with Fin  
1.4  
10  
1.5  
10  
0.1  
4.0  
(SLA12Pin)  
TO220F-A  
1.4  
1.4  
1.5  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
5.0  
10  
10  
15  
20  
20  
10  
15  
20  
20  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.1  
0.2  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
0.1  
0.1  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
50  
20  
110 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
125 1/2VDRM  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
5
0.03  
7.0  
7.0  
7.0  
7.0  
4.0  
15  
15  
20  
20  
15  
15  
20  
20  
4.0 TO220F  
4.1 TO220F  
3.8 TO220F  
3.5 TO220F  
3.4 TO220F  
4.1 TO220F  
3.8 TO220F  
3.5 TO220F  
3.4 TO220F  
125  
125  
125  
125  
125  
125  
125  
125  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1/2VDRM 300  
1.5  
1.4  
1.35  
1.5  
1.5  
1.5  
1.35  
Electrical Characteristics  
Mass  
VGT  
IGT  
VGD  
IH  
Rth  
VF  
Conditions  
Tc  
Conditions  
Conditions  
IF  
Package  
Tj  
VD  
(g)  
(V)  
(mA)  
(V)  
(mA) (°C/W)  
(V)  
(°C)  
(A)  
(°C)  
(V)  
min  
typ  
12  
max  
4.0  
max  
typ  
max  
1.5  
typ  
max  
30  
25  
0.1  
125  
480  
1.4  
10 TO-220S  
1.5  
Thyristors  
191  
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