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     600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    IQE013N04LM6SC

     英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V：IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。
    PC
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     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    FDMD8630

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