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HEF4021BT 参数 Datasheet PDF下载

HEF4021BT图片预览
型号: HEF4021BT
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内容描述: 移位寄存器| CMOS |专科| 16PIN |塑料\n [SHIFT REGISTER|CMOS|SOP|16PIN|PLASTIC ]
分类和应用: 移位寄存器触发器逻辑集成电路光电二极管输出元件
文件页数/大小: 6 页 / 71 K
品牌: ETC [ ETC ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位的静态移位寄存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
建立时间
D
S
CP
5
10
15
5
P
n
PL
保持时间
D
S
CP
10
15
5
10
15
5
P
n
PL
最小时钟
脉冲宽度;低
最低PL
脉冲宽度; HIGH
恢复时间
对于PL
最大时钟
脉冲频率
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
f
最大
t
RPL
t
WPLH
t
WCPL
t
HOLD
t
HOLD
t
su
t
su
符号
分钟。
25
25
15
50
30
20
40
20
15
15
15
15
70
30
24
70
30
24
50
40
35
6
15
20
典型值。
−15
−10
−5
25
10
5
20
10
8
−10
0
0
35
15
12
35
15
12
10
5
5
13
30
40
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
HEF4021B
微星
又见波形
图4和图5
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
12 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
5