FDB7030BLS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDB7030BLS
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内容描述：	晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 30V V（ BR ） DSS \| 56A I（ D） \| TO- 263AB\n [TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 56A I(D) \| TO-263AB ]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	11 页 / 354 K
品牌：	ETC [ ETC ]

FDP7030BLS/FDB7030BLS

2001年5月

FDP7030BLS / FDB7030BLS

30V N沟道的PowerTrench

SyncFET

™

概述

该MOSFET的设计来取代单个MOSFET

在同步DC和并联肖特基二极管： DC

电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成

最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低

DS （ ON）

和低栅极电荷。

该FDP7030BLS

包括使用一个集成的肖特基二极管飞兆半导体

单片SyncFET技术。的性能

该FDP7030BLS作为一个低侧开关

同步整流器是从区分

该FDP7030BL在用并行性能

肖特基二极管。

特点

•

56 A， 30 V

DS （ ON）

= 10.5毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 16.5毫欧@ V

= 4.5 V

•

包括SyncFET肖特基体二极管

•

低栅极电荷（ 15nC典型值）

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

和快速开关

•

高功率和电流处理能力

TO-220

FDP系列

TO-263AB

FDB系列

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

±20

（注1 ）

单位

W / ℃，

°C

160

0.43

-65到+100

275

总功率耗散@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

2.3

62.5

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDB7030BLS

FDP7030BLS

设备

FDB7030BLS

FDP7030BLS

带尺寸

13’’

管

胶带宽度

24mm

不适用

QUANTITY

800个

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDP7030BLS版本B （ W）

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