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型号: 4N600
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内容描述: N沟道场效应晶体管 [N-Channel Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: ETC [ ETC ]
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线性湾
激励线性电源
N沟道场效应晶体管
4N600(3600)
描述
湾直线n沟道功率场效应晶体管
采用高密度工艺技术制造,这些
装置特别适用于高电压应用
如汽车和其它电池供电的电路,其中
快速开关,低线的功率损耗和耐
需要的晶体管。
该TO- 220提供了3针普遍首选的所有
商业工业应用的功耗水平
到大约50瓦。另外,在D可用
2
表面
安装功率封装,功率耗散高达2瓦
特点
临界直流电气参数
在较高的温度规定。
坚固的内部源极 - 漏极二极管
可以消除需要外部
齐纳二极管瞬态抑制器
超高密度电池设计
非常低R
DS ( ON)
V
DSS
= 600V
R
DS ( ON)
= 1.9
I
D
= 4.0A
订购信息
设备
4N600T
4N600S
TO-220
TO- 263 (D
2
)
温度。
0 〜150℃
0 〜150℃
绝对最大额定值
符号
I
D
(T
C
=25°C)
I
D
(T
C
=100°C)
V
GSV
P
D
T
J
T
英镑
参数
漏电流
-Continues
-Pulsed
门源电压
总功率耗散@ T
C
=25°C
减免上述25℃
工作和存储
温度范围
最大
4.0
2.5
16
±20
75
0.59
-55到150
单位
A
V
W
W / ℃,
°
°
C
湾线性,公司
2478年阿姆斯特朗街,利弗莫尔,CA 94550电话: ( 925 ) 989-7144 ,传真: ( 925 ) 940-9556
www.baylinear.com