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2N5551 参数 Datasheet PDF下载

2N5551图片预览
型号: 2N5551
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内容描述: - 12号的铝制车身绘( RAL 7032 ) []
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 169 K
品牌: ETC [ ETC ]
 浏览型号2N5551的Datasheet PDF文件第2页  
深圳市杰鸿顺电子有限公司
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
2N5551
晶体管( NPN )
TO-92
特点
开关和放大高压
应用,如电话
低电流(最大600毫安)
高电压( max.180V )
1.发射器
2.基
3.收集
1 2 3
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
180
160
6
0.6
0.625
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
*
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
*
直流电流增益
h
FE2
*
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
*
V
BESAT
*
f
T
C
ob
C
ib
NF
TEST
条件
180
160
6
50
50
80
80
30
0.15
0.2
1
1
100
300
6
20
8
V
V
兆赫
pF
pF
dB
250
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 120V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
=10V,I
C
=10mA,f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
BE
=0.5V,I
C
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
c
=0.25mA,
F = 10Hz到15.7KHz ,卢比= 1kΩ的
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电容
噪声系数
*脉冲测试
http://jhs-ic.hqew.com