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2N4401 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4401
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内容描述: 低功率双极晶体管 [Low Power Bipolar Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 254 K
品牌: ETC [ ETC ]
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T2N4401
低功率双极晶体管
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
在T功耗
a
= 25°C
减免上述25℃
在T功耗
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
RTH
RTH
(J -C )
第(j-一)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T2N4401
40
60
6
600
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
W
W / ℃,
°C
P
D
T
j
, T
英镑
83.3
° C / W
200
电气特性(T
a
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
集电极 - 发射极电压
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
集电极 - 基极电压
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
发射极电压
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
基地截断电流
V
CE
= 35V, V
EB
= 0.4V
收藏家切断电流
V
CE
= 35V, V
EB
= 0.4V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
基极发射极饱和电压
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
*脉冲测试:脉冲宽度:
≤300µs,
≤2.0%
符号
BV
首席执行官
*
BV
CBO
BV
EBO
I
BEV
<0.1
I
CEX
<0.4
<0.75
V
V
BE (SAT)
*
0.75 - 0.95
<1.2
µA
T2N4401
>40
>60
>6
V
单位
V
CE (SAT)
*
第2页
10/04/06 V1.0