24LC01B/02B
1K / 2K 2.5V我
2
C
™
串行EEPROM
特点
•到2.5V单电源供电，工作下来
•低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 10 μA待机电流典型值5.5V
- 5 μA待机电流典型值3.0V
•组织为单块
128个字节（128 ×8） -1K或256字节（ 256 ×8） -2K
• 2线串行接口总线，I
2
C™兼容
• 100千赫（ 2.5V ）和400kHz （ 5.0V ）的兼容性
•自定时写周期（包括自动擦除）
•多达8个字节页写缓存
• 2毫秒典型的写周期时间为页写
•硬件写保护的整个存储器
•可作为串行ROM操作
• ESD保护> 3,000V
•百万东/西次担保
•数据保留和GT ; 200年
• 8引脚DIP ， SOIC ， TSSOP *或SOT -23封装*
•可用于温度范围
- 商业（ C） ：
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
PDIP ， SOIC
A0
A1
A2
VSS
1
24LC01B/02B
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
TSSOP *
24LC01B/02B
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SOT-23*
SCL
V
SS
SDA
1
2
3
5
WP
24LC01B
描述
Microchip Technology Inc.的24LC01B和24LC02B
有1K位和2K位电可擦除PROM中。该
设备组织成128 ×8位的单块或
256 ×8位的存储器有两线串行接口。低
电压设计使它下降到2.5伏特，
仅5 μA和1 mA待机电流和工作电流
分别。该24LC01B和24LC02B也有
页，写能力最高可达8个字节的数据。该
24LC01B和24LC02B是在标准中可用的
8引脚DIP和8引脚表面贴装SOIC封装。
采用SOT -23和TSSOP封装可用于
24LC01B.
4
VCC
*只适用于24LC01B
框图
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
SDA ，SCL
YDEC
V
CC
V
SS
SENSE AMP
R / W控制
*只适用于24LC01B
©
1999 Microchip的技术公司
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DS20071J第1页
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