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BC847C/E8 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	BC847C/E8
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内容描述：	晶体管\| BJT \| NPN \| 45V V（ BR ） CEO \| 100MA I（C ） \| SOT- 23\n [TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23 ]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 219 K
品牌：	ETC [ ETC ]

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BC846 thru BC849

0.30 (7.5)

0.12 (3)

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Layout for R

ΘJA

test

Thickness:

Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)

Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)

.04 (1)

.08 (2)

.04 (1)

.08 (2)

0.59 (15)

0.47 (12)

0.03 (0.8)

Dimensions in inches (millimeters)

0.2 (5)

Admissible power dissipation

versus temperature of substrate backside

Device on fiblerglass substrate, see layout

0.06 (1.5)

0.20 (5.1)

Pulse thermal resistance

versus pulse duration (normalized)

Device on fiblerglass substrate, see layout

DC current gain versus collector current

Collector-Base cutoff current versus

ambient temperature

Document Number 88164

09-May-02

www.vishay.com

3

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