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IS42S16400B-7TL 参数 Datasheet PDF下载

IS42S16400B-7TL图片预览
型号: IS42S16400B-7TL
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内容描述: 1梅格位×16位× 4银行( 64兆位)同步动态RAM [1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 55 页 / 468 K
品牌: ETC [ ETC ]
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IS42S16400B
BURST TERMINATE
启用或禁用。自动预充电不适
除了在全页突发模式。一旦竣工
读或写突发,银行/行预充电的
被寻址时自动执行。
ISSI
®
自动刷新命令
此命令执行自动刷新操作。
该行地址和银行进行自动刷新都
此操作过程中生成的。在规定期限(T
RC
)
需要一个单一的刷新操作,并且没有其他
命令可以在此期间被执行。这个化合物
命令执行至少4096次,每次64毫秒。中
一个自动刷新命令,地址位是“无关
关心“ 。这个命令相当于CBR自动刷新。
该BURST TERMINATE命令强行终止
突发读取并通过截断或者固定的写操作
长度或整页突发和最近注册
读或写操作之前BURST命令TERMI-
内特。
COMMAND INHIBIT
COMMAND INHIBIT防止新的命令被
执行。在正在进行的操作不会受到影响,除了
从在CLK信号是否启用
无操作
CS
低,中的NOP指令防止不必要的
从在空闲或正在等待注册的命令
状态。
自刷新
在自刷新操作时,该行地址,以
被刷新,银行和刷新间隔是
自动生成的内部。自刷新即可
用于保留数据在SDRAM中没有外部
计时,即使在系统的其余部分被断电。
通过滴加开始自刷新操作
CKE引脚从高电平变为低电平。在自刷新
运行所有其他输入到SDRAM成为“不
关心“ 。该装置必须保持在自刷新模式时为一
最低期限等于t
RAS
或可保持在自刷新
模式为超出无限期。自我
刷新操作继续,只要所述CKE销
保持低电平并且也没有必要对外部控制
任何其他引脚。下一个命令不能被执行之前,
该器件内部回收期(T
RC
)是否已经过去。一旦
CKE变高时,必须出具的NOP指令
(至少两个时钟) ,为完成提供时间
任何内部更新正在进行中。自刷新后,由于
就不可能确定到最后一行的地址
被刷新,自动刷新,应立即
执行用于所有地址。
加载模式寄存器
在加载模式寄存器命令模式
寄存器是从A0 -A11加载。该命令只能
当所有银行都空闲的发行。
主动命令
当激活的命令被激活, BA0 , BA1
输入选择一组将被访问,并且地址
在A0 -A11输入选择行。直到预充电
命令被发送到银行,该行保持打开
访问。
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
Rev. D的
02/10/05
5