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IRF830 参数 Datasheet PDF下载

IRF830图片预览
型号: IRF830
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内容描述: 功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 43 K
品牌: ETC [ ETC ]
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线性湾
卓越的线性
功率MOSFET
IRF830
超前信息
描述
湾线性MOSFET的为设计师提供最好的
快速开关,坚固耐用的设备设计,低相结合
0n的导通电阻和低的成本效益。
该TO- 220提供了3针普遍首选的所有
商业工业应用的功耗水平
到大约50瓦。另外,在D可用
2
表面
安装功率封装,功率耗散高达2瓦
特点
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
V
DSS
= 500V
R
DS ( ON)
= 1.5
I
D
= 4.5A
订购信息
设备
IRL830T
IRL830S
TO-220
TO- 263 (D
2
)
温度。
0 〜150℃
0 〜150℃
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
=25°C
°
I
D
@ T
C
=100°C
°
I
DM
P
D
@ T
C
=25°C
°
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲( 1 )
功耗
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装,D
2
) (1)
栅 - 源电压
单脉冲雪崩能量( 2 )
雪崩电流( 1 )
重复性雪崩能量( 1 )
峰值二极管恢复的dv / dt ( 3 )
结&存储温度范围
焊接温度,持续10秒
最大
4.5
2.9
18
74
0.59
0.025
±20
280
4.5
7.4
3.5
−55
+150
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
°
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°
C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
, T
英镑
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
结到外壳
案件到水槽,平,脂润滑表面( TO- 220 )
结到环境( PCB安装,D
2
)
结到环境
-
-
-
典型值
-
0.50
-
最大
1.7
40
62
单位
°
C / W
湾线性,公司
2478年阿姆斯特朗街,利弗莫尔,CA 94550电话: ( 925 ) 989-7144 ,传真: ( 925 ) 940-9556
www.baylinear.com