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HY57V561620HT-K 参数 Datasheet PDF下载

HY57V561620HT-K图片预览
型号: HY57V561620HT-K
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内容描述: X16 SDRAM\n [x16 SDRAM ]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 13 页 / 174 K
品牌: ETC [ ETC ]
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HY57V561620H(L)T
交流特性II
-6
参数
符号
手术
RAS周期时间
自动刷新
RAS到CAS延迟
RAS活动时间
RAS预充电时间
RAS到RAS银行主动延迟
CAS到CAS延迟
写命令数据在延迟
数据到预充电命令
输入数据为ACTIVE命令
DQM到数据输出高阻
DQM到数据输入掩码
黄新建命令
预充电到
数据输出高阻
最大
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100K
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5
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最大
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CLK
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CLK
CLK
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CLK
ms
1
-K
-H
-8
-P
-S
单位
t
RC
t
RRC
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RCD
t
RAS
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RP
t
RRD
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CCD
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WTL
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DPL
t
DAL
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DQZ
t
DQM
t
MRD
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18
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2
0
2
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2
1
1
-
CAS延时= 3
t
PROZ3
CAS延时= 2
t
PROZ2
掉电退出时间
自刷新退出时间
刷新时间
t
PDE
t
SRE
t
REF
注意:
1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC
修订版1.3 /十一月01
8