HY29F800
信号说明
名字
A[18:0]
TYPE
输入
描述
地址，高电平有效。
在文字模式下，这19个输入选择524,288 1
（ 512K ）字阵列进行读或写操作中。在字节模式下，这些
输入结合DQ15 / A - 1输入（ LSB）选择的1,048,576 1
（ 1M）的阵列的读或写操作中的字节。
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BY TE ＃
CE＃
数据总线，高电平有效
。在文字模式下，这些引脚提供16位数据通道
输入/输出进行读取和写入操作。在字节模式下， DQ [ 7 ： 0 ]提供一个8位数据路径
三州
和DQ15 / A- 1用作20位字节的地址输入的LSB 。 DQ [14： 8]
未使用并保持三态字节模式。
输入
输入
字节模式，低电平有效。
控制装置的字节/字的配置。
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
写数据到HY 29F800 。高电平时，数据总线为三态和设备
被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
和否定的写操作。按TE ＃判定是否一个字节或字
在读操作期间被读出。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
W R是E E N A B乐，一个C吨IV E 1。·瓦特
合作NT RO LS WR其荷兰国际集团ofco MMA届sorco MMA次
序列以便编程数据或擦除存储器阵列的扇区。一
写操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃
为高。 BY TE ＃确定一个字节或字是否写操作期间写入
操作。
硬件复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY 29F800到读阵列状态。当设备被立即复位，它
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态，所有的读/写
命令会被忽略，而输入为有效。当RESET ＃是断言，
该设备将处于待机模式。
再一个DY /总线Ÿ圣一吨我们。
我ND IC atesw他T他RAWR它eoreraseco MMA届是在
进展或已经完成。后的上升沿RY / BY＃有效。
最后WE＃脉冲的命令序列。它仍然低，而设备
积极的数据编程或擦除，并且变高时，它已准备好读
阵列的数据。
5伏电源。
电源和信号地。
OE ＃
输入
WE＃
输入
RESET＃
输入
RY / BY ＃
产量
漏极开路
--
--
V
CC
V
SS
存储器阵列组织
1兆字节的闪存阵列是由
19块所谓的
扇区
(S0, S1, . . . , S18).
一个扇区是可以被擦除的最小单位
并且它可以被保护，以防止意外
或未经授权的删除。请参阅“总线操作”
和“命令定义”本文档中的部分
换货了解有关这些功能的更多信息。
在HY29F800 ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
千字节（4至16 K字） ，而剩余的fif-
青少年部门都在64字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29F800B ），或在
的地址范围（ HY29F800T ）的顶部。
表1定义了扇区地址和corre-
应的地址范围的顶部和底部
在HY29F800的引导块版本。
4
修订版4.0 /一月00
ETC [ ETC ]
