HY29F800
表3. HY29F800总线的运行需要高电压
1, 2
DQ [15：8 ]
手术
3
部门保护
部门撤消
临时机构
撤消
制造商代码
设备HY29F800B
代码HY29F800T
业集团
保护
验证
CE ＃ OE ＃ WE＃ RESET ＃ A [ 18时12 ] A [ 9] [ 6] [ 1] [ 0 ]
L
V
ID
X
L
L
V
ID
V
ID
X
L
L
X
X
X
H
H
H
H
V
ID
H
H
SA
4
X
X
X
X
V
ID
V
ID
X
V
ID
V
ID
X
X
X
L
L
X
X
X
L
L
X
X
X
L
H
DQ [7：0 ]
X
X
D
IN
0xAD
0x58
0xD6
0x00 =
无保护
0x01 =
保护
BYT E· BYT ê ＃
=H
= L
5
X
X
D
IN
X
0x22
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
L
L
H
H
SA
4
V
ID
L
H
L
X
高-Z
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无关。见DC特性的电压等级。
不指定2.地址位无关。
3.见文以获取更多信息。
4， SA =扇区地址。见表1 。
5. DQ [15]是在字节模式下的A [ -1]输入（ BYTE ＃ = L ） 。
通过将一个字节或字的地址上的设备的
地址输入，而将要写入的数据被输入
在DQ [ 7 ：0]字节模式（ BYTE ＃ = L ）和
DQ [ 15 ： 0 ]在Word模式（ BYTE ＃ = H ） 。主人
系统必须驱动CE ＃和WE ＃引脚为低电平
和驱动OE ＃高一个有效的写操作
成行。所有的地址被锁存在下降沿继续
荷兰国际集团的WE＃或CE ＃ ，以较迟者为准发生边缘。
所有的数据被锁存， WE＃或上升沿
CE＃ ，先发生者为准。
本文档中的“设备命令”部分
提供特定的设备命令的详细信息
在HY29F800实施。
输出禁用操作
当OE ＃输入为V
IH
从输出数据
装置处于关闭状态，并在数据总线管脚被放置
在高阻抗状态。
待机操作
当系统不读取或写入到
在HY29F800 ，它可以将设备放置在
待机模式。在这种模式下，电流消耗
灰大大降低，并且在数据总线输出
被置于高阻抗状态， indepen-
凹陷的OE ＃输入。待机模式
调用使用两种方法。
该器件进入
CE＃ CMOS待机
模式
如果CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
± 0.5V 。注意，这是一个更受限制的电压
范围比V
IH
。如果两个CE ＃和RESET ＃举行
高，但不是在V
CC
±0.5V ，该设备将
在
CE＃ TTL待机
模式，但待机
电流将更大。
该器件进入
RESET ＃ CMOS待机
当RESET ＃引脚保持在V模式
SS
± 0.5V.
如果RESET ＃举行，但没有在V低
SS
± 0.5V,
该HY29F800将在
RESET ＃ TTL待机
模式，但待机电流将更大。看
额外的硬件复位操作部分
在复位操作的信息。
该设备需要接入标准时间（t
CE
）的
读访问时，该设备在任一
待机模式中，它准备读数据之前。如果
删除或亲中取消选择器件
编程，它继续吸引有功电流，直到
操作完成。
硬件复位操作
在RESET ＃引脚提供的硬件方法
该装置复位到读出阵列的数据。当
在RESET ＃引脚被拉低最低
指定时间内，该装置立即termi-
止数据中的任何操作，三态数据
总线引脚，而忽略了所有的读/写命令
7
修订版4.0 /一月00
ETC [ ETC ]
