电气规格
5.8
存储器和并行I / O接口的时序
5.8.1存储器读
外部存储器读取可连续或不连续模式下的控制下进行
在BSCR CONSEC位。表5-8和表5-9假设检验在推荐工作条件
与MSTRB = 0和H = 0.5吨
C（ CO）
（见图5-5和图5-6 ） 。
表5-8 。存储器读时序要求
民
访问时间，读取地址数据访问
有效的，先读访问†
对于访问不会立即跟随
保持工作
对于读访问紧跟在
保持工作
最大
4H–9
4H–11
2H–9
7
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ta(A)M1
ta(A)M2
TSU （D ）R
访问时间，读取地址有效的数据访问，连续读访问†
建立时间，在CLKOUT低读取数据有效
日（D ）R
保持时间，读取数据有效后CLKOUT低
†地址，读/写，PS ，DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
表5-9 。内存读取开关特性
参数
对于访问不会立即跟随
保持工作
对于读访问紧跟在
保持工作
民
–1
–1
–1
0
最大
4
6
4
4
单位
ns
ns
ns
ns
TD （ CLKL -A ）
延迟时间CLKOUT低到地址有效†
时间，
TD （ CLKL - MSL ）延迟时间， CLKOUT低到MSTRB低
TD （ CLKL - MSH ）延迟时间， CLKOUT低到高MSTRB
†地址，读/写，PS ，DS和IS定时都包含在作为地址引用的定时。
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SPRS007B
2001年11月 - 修订2003年7月
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