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NTD4302-1 参数 Datasheet PDF下载

NTD4302-1图片预览
型号: NTD4302-1
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内容描述: 晶体管| MOSFET | N沟道| 30V V( BR ) DSS | 8.4AI (D ) | TO- 251AA\n [TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251AA ]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 12 页 / 91 K
品牌: ETC [ ETC ]
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NTD4302
6000
VDS = 0 V
5000
C,电容(pF )
西塞
4000
3000
2000
CRSS
VGS VDS 0
10
科斯
VGS = 0 V
TJ = 25°C
12.5
QT
VD
30
VDS ,漏极 - 源 - 电压( V)
1
VGS ,栅 - 源 - 电压(V)的
10
25
7.5
VGS
5
Q1
Q2
20
CRSS
西塞
15
1000
0
10
2.5
ID = 2将
TJ = 25°C
0
10
20
30
40
50
QG ,总栅极电荷( NC)
10
20
30
0
0
60
栅极 - 源极或漏极至源极电压( V)
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
IS ,源电流(安培)
VDD = 24 V
ID = 18.5
VGS = 10 V
T, TIME ( NS )
25
VGS = 0 V
TJ = 25°C
20
15
100
tf
TD (关闭)
tr
TD (上)
10
1
10
RG ,栅极电阻( Ω )
100
10
5
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VSD ,源 - 漏极电压(V )
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
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