BC856B/E9 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BC856B/E9
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内容描述：	晶体管\| BJT \| PNP \| 65V V（ BR ） CEO \| 100MA I（C ） \| SOT- 23\n [TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 65V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23 ]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 218 K
品牌：	ETC [ ETC ]

BC856通BC859

威世半导体

原通用半导体

电气特性

参数

电流增益

电流增益A组

集电极饱和电压

基本饱和电压

基射极电压V

BEON

集电极 - 基极截止电流

增益带宽积

集电极 - 基极电容

噪声系数

BC856 ， BC857 ， BC858

BC859

= 25 ° C除非另有说明）

符号

测试条件

–V

= 5V ， -I

= 2毫安

F = 1kHz时

–V

= 5V ， -I

= 2毫安

F = 1kHz时

–V

= 5V ， -I

= 2毫安

F = 1kHz时

–V

= 5V ， -I

= 2毫安

F = 1kHz时

–V

= 5V ， -I

= 10µA

民

—

1.6

3.2

6.0

—

110

200

420

—

660

—

典型值

220

330

600

2.7

4.5

8.7

1.5

⋅

–4

⋅

–4

⋅

–4

150

270

180

290

520

250

700

900

750

—

150

—

1.2

最大

—

4.5

8.5

15.0

110

—

220

450

800

300

650

—

820

—

单位

—

kΩ

输入阻抗

输出导纳

µS

—

反向电压

传输比

直流电流增益

–V

= 5 V ， -I

= 2毫安

–V

CESAT

–V

BESAT

–I

= 10毫安， -I

- 0.5毫安

–I

= 100毫安， -I

= 5毫安

–I

= 10毫安， -I

- 0.5毫安

–I

= 100毫安， -I

= 5毫安

–V

= 5 V ， -I

= 2毫安

600

–V

= 5 V ， -I

= 10毫安

–I

CBO

–V

= 30V

= 30V ，T

= 150˚C

µA

兆赫

–V

= 5V ， -I

= 10毫安

F = 100MHz的

–V

= 10V ， F = 1MHz的

–V

= 5V ， -I

= 200µA

=2kΩ,f=1kHz,

∆f=

200Hz

BC859

–V

= 5V ， -I

= 200µA

= 2kΩ的， F = 30 ... 15000Hz

注意：

（ 1 ）设备上的玻璃基板，见下页的布局

www.vishay.com

文档编号88169

09-May-02

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