BC856通BC859
威世半导体
原通用半导体
小信号晶体管（ PNP ）
贴装焊盘布局
0.031 (0.8)
TO- 236AB （ SOT -23 ）
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.4)
3
.056 (1.43
)
.052 (1.33
)
0.035 (0.9)
0.079 (2.0)
顶视图
引脚配置
1
=基地，
2
=发射器，
3
=收藏家
0.037 (0.95)
0.037 (0.95)
TYPE
尺寸以英寸
（毫米）
记号
3A
3B
3E
3F
3G
TYPE
BC858A
B
C
BC859A
B
C
记号
3J
3K
3L
4A
4B
4C
1
2
最大。 0.004 （0.1）
BC856A
B
BC857A
B
C
.007 (0.175)
.005 (0.125)
.037(0.95) .037(0.95)
.045 (1.15)
.037 (0.95)
.016 (0.4)
.016 (0.4)
.102 (2.6)
.094 (2.4)
特点
• PNP硅外延平面晶体管的开关
和AF放大器应用。
•特别适用于自动插入厚
薄膜电路。
•这些晶体管被分为3组
（ A，B和C），根据其电流增益。类型
BC856在A组和B可用，然而，种类
BC857 ， BC558和BC859可以在所有三个供给
组。该BC849是一款低噪声类型。
•互补类型的NPN晶体管
BC846 ... BC849是recomended 。
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
机械数据
案例：
SOT- 23塑料包装
重量：
约。 0.008克
包装代码/选项：
13元“卷（ 8mm带） ， 30K /盒E8 / 10K
每7 “卷轴（8毫米磁带） ， 30K /盒E9 / 3K
最大额定值和热特性
参数
集电极 - 基极电压
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
BC856
BC857
BC858 ， BC859
符号
–V
CBO
价值
80
50
30
80
50
30
65
45
30
5
100
200
200
200
310
(1)
单位
V
集电极 - 发射极电压（基本短路）
–V
CES
V
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
在T功耗
SB
= 50°C
热阻结到环境空气
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
–I
CM
–I
BM
I
EM
P
合计
R
θJA
R
ΔSb
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
° C / W
°C
°C
450
(1)
320
(1)
150
-65到+150
热阻结到衬底背面
结温
存储温度范围
注意：
（ 1 ）设备上的玻璃基板，看到第三页的布局。
文档编号88169
09-May-02
www.vishay.com
1
ETC [ ETC ]
