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4N600(3600) 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 4N600(3600)
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内容描述: N沟道场效应晶体管 [N-Channel Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: ETC [ ETC ]
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4N600(3600)
电气特性(
T
C
=
符号
I
DSS
V
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
GSS
25 ° C除非另有说明)
°
参数
零栅极电压漏极电流
漏极至源极击穿
栅极阈值电压
静态漏电压
条件
V
DS
=600V
V
GS
=0V
I
D
= 100μA ,V
GS
=0
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
= 10V ,我
D
=2.4A
600
2
-
典型值
-
最大
100
-
4
单位
µ
A
V
V
NA
S
pF
pF
pF
NS
-
1.9
100
-100
栅 - 源正向漏V
GS
=20V
栅 - 源极反向漏V
GS
=-20V
转发Tranconductance
V
DS
= 100V ,我
D
=2.4A
g
fs
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
输出电容
C
OSS
F = 1.0 MHz的
反向TRAS 。电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
=300V
开启上升时间
t
r
I
D
= 2.4A ,R
=12Ω
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
R
D
=74Ω
关断下降时间
t
F
马克西姆连续漏源二极管的正向电流
I
S
漏源二极管
V
GS
=0V
V
DS
(注)
正向电压
I
S
=4A
THERMAI CHRACTERISTICS
热阻,结到外壳
R
JC
热阻,结到环境
R
JC
注:脉冲测试:脉冲With≤ 300
µS,
占空比
2.0%
2.9
800
110
20
12
18
53
19
4.0
1.50
5
100
A
V
°
C / W
°
C / W
推进信息 -
这些数据表包含了正在开发中的产品说明。的规格是基于工程计算,
计算机模拟和/或最初的原型评估。
初步信息 -
这些数据表包含被基于所述初始设备表征的最小和最大规格。这些限制是
受试者在完成充分表征的经改变在特定的温度和电源电压范围。
应用电路的实施例仅解释本装置的有代表性的应用程序和不旨在保证任何电路
设计或允许任何工业产权,以执行其他权利。湾线性花费与任何任何问题概不负责
工业产权与使用中的数据显示书中的内容产生。典型参数可以做不同在不同的
应用程序。客户的技术专家必须验证所有的运行参数,包括“典型”为每一个客户应用程序。
生活配套的核政策
湾线性产品不授权,不应该在其中用于外科生命支持系统中使用
植入体进入人体后,以支持或维持生命,飞机,航天设备,潜艇,或核设施应用,而不
湾线性总统的明确书面同意。
湾线性,公司
2478年阿姆斯特朗街,利弗莫尔,CA 94550电话: ( 925 ) 989-7144 ,传真: ( 925 ) 940-9556
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