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AO3418L 参数 Datasheet PDF下载

AO3418L图片预览
型号: AO3418L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 115 K
品牌: ETC [ ETC ]
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AO3418, AO3418L  
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
5
4
3
2
1
0
VDS=15V  
ID=3.8A  
Ciss  
Coss  
Crss  
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
Qg (nC)  
VDS (Volts)  
Figure 7: Gate-Charge Characteristics  
Figure 8: Capacitance Characteristics  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
100.0  
10.0  
1.0  
20  
TJ(Max)=150°C  
TA=25°C  
15  
10  
5
10µs  
RDS(ON)  
limited  
100µs  
1ms  
0.1s  
10ms  
1s  
10s  
DC  
0
0.1  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
Pulse Width (s)  
V
DS (Volts)  
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe  
Operating Area (Note E)  
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-  
Ambient (Note E)  
10  
1
D=Ton/T  
In descending order  
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse  
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA  
RθJA=90°C/W  
PD  
0.1  
Ton  
T
Single Pulse  
0.001  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Pulse Width (s)  
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.