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MMBT5550 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5550图片预览
型号: MMBT5550
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内容描述: 高压晶体管NPN硅 [HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用: 晶体晶体管高压IOT
文件页数/大小: 4 页 / 87 K
品牌: ZOWIE [ ZOWIE TECHNOLOGY CORPORATION ]
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ZOWIE科技股份有限公司
MMBT5550
2.5
温度系数(毫伏/ C)
2.0
1.5
1.0
0.5
VC
o
VBB
- 8.8V
10.2V
100
对于V
CE
(SAT)
VIN
0.25 uF的
3.0 k
VCC
30 V
RC
VOUT
0
-0.5
T
J
= -55℃至+135 ç
o
o
10我们
输入脉冲
RB
5.1 k
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
VB
对于V
BE
(SAT)
TR , TF
10纳秒
VIN
100
1N914
占空比= 1.0 %
V
,
I
C
,集电极电流(mA )
显示的数值为IC @ 10毫安
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
T
J
= 25 C
o
1000
500
300
T, TIME ( NS )
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
r
@ V
CC
= 120 V
I
C
/I
B
= 10
o
T
J
= 25 C
C,电容(pF )
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
C
敖包
C
IBO
200
100
50
30
20
10
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
V
R
,反向电压(伏)
V
R
,反向电压(伏)
图7的电容
图8.导通时间
5000
3000
2000
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
o
T
J
= 25 C
t
f
@ V
CC
= 120 V
T, TIME ( NS )
1000
500
300
200
100
50
0.2 0.3 0.5
t
s
@ V
CC
= 120 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200
I
C
,集电极电流(mA )
图9.打开 - 关闭时间
REV 。 : 0
ZOWIE科技股份有限公司