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    PSMN1R7-40YLD

     N-channel 40 V, 1.8 mΩ, 200 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technologyProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    GRM219R11C474KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCG188R91H182MA03#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0225C1C5R1BA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FGH4L50T65SQD

     IGBT - 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode
    双极性晶体管
    0 ONSEMI

    GCM1887U2A302JA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM0335C1E7R5BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCM31ML81H124KA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IAUS300N08S5N014T

     The IAUS300N08S5N014T is a 1.4 mΩ, topside-cooled 80 V MOSFET coming in the TOLT package with Infineon’s leading OptiMOS™-5 technology. Next to others the device is designed for 48V applications. Alongside the 48V auxiliary applications, the device is primarily used in the the DC-DC converter and the main battery switch.
    暂无信息
    0 INFINEON

    GRM0225C1E7R3WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDMC8321L

     N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，49A，2.5mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GJM0225C1C7R3BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IKW30N65ET7

     TRENCHSTOP™ IGBT7
    双极性晶体管
    0 INFINEON

    NX138BKW

     60 V, N-channel Trench MOSFETProduction
    暂无信息
    0 NEXPERIA

    NTMYS1D3N04CTWG

     功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.15mΩ，252 A
    暂无信息
    0 ONSEMI

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