SOT23封装的N沟道增强
模式垂直DMOS FET
I
I
第2期 - 1997年10月
PARTMARKING详细信息 - O2
BST82
C
B
E
SOT23
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
漏源电压
（非重复峰值TP
≤
2ms)
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流峰值
栅源电压
最大功率耗散在T
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DS （ SM ）
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
j
:T
英镑
价值
80
100
175
600
±
20
300
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
V
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门源
阈值电压
门体漏
发射极截止
当前
静态漏源
导通状态电阻
转移导纳
输入电容（ 2 ）
符号
B
VDSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
| YFS |
C
国际空间站
7
150
15
13
3
4
4
30
20
6
10
10
分钟。
80
1.5
3.5
100
1
10
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
µA
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
I
D
= 175毫安，V
DD
=50V
V
GS
= 0至10V
V
DS
=10V, V
GS
=0V
f=1MHz
条件。
I
C
=100µA
I
D
= 1mA时， V
DS
=V
GS
VGS=20V
V
DS
=60V
I
D
= 150毫安，V
GS
=5V
I
D
= 175毫安，V
DS
=5V
常见的来源
C
OSS
输出电容（ 2 ）
反向传输
电容（2）
开关时间
C
RSS
T
on
T
关闭
（ 1 ）交换台次测量150Ω源阻抗和<5ns上升时间的脉冲发生器
（ 2 ）样品测试
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
