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    BSS79B 参数 Datasheet PDF下载

    BSS79B图片预览
    型号： BSS79B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT23 NPN硅平面开关晶体管 [SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体开关晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 30 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23 NPN硅平面
    开关晶体管
    第2期？九月95
    PARTMARKING细节 -
    7
    BSS79B - CE
    BSS79C - CF
    BSS79B
    BSS79C
    C
    B
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    P
    合计
    t
    j
    :t
    英镑
    价值
    75
    40
    6
    800
    330
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    参数
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    分钟。
    75
    40
    6
    10
    10
    10
    0.3
    1.0
    40
    100
    250
    8
    10
    10
    225
    60
    120
    300
    集电极 - 基极击穿
    电压
    集电极 - 发射极击穿
    电压
    集电极基极截止电流
    发射基地截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    静态前进
    当前
    传输比
    跃迁频率
    集电极 - 基极电容
    延迟时间
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    µ
    A
    条件。
    I
    C
    =10
    µ
    A
    I
    C
    =10mA
    IE=10
    µ
    A
    V
    CB
    =60V
    V
    CB
    = 60V ，T
    AMB
    =150
    o
    C
    V
    BE
    =3.0V
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    =10V
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    =10V
    发射极 - 基极击穿电压V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    nA
    nA
    V
    V
    BSS79B
    BSS79C
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    =20mA
    f=100MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =150mA
    I
    B1
    =I
    B2
    =15mA
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =150mA
    I
    B1
    =I
    B2
    =15mA
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    页码

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