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BSS69-L2 参数 Datasheet PDF下载

BSS69-L2图片预览
型号: BSS69-L2
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内容描述: SOT23封装PNP硅平面中功率开关晶体管 [SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体开关晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT23封装PNP硅平面介质
功率开关晶体管
第2期? 1995年9月
7
PARTMARKING细节?
BSS69 -
BSS70 -
BSS69R -
BSS70R -
L2
L3
L6
L7
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
t
j
:t
英镑
分钟。
-40
-40
-5
-50
-0.25
-0.40
-0.65
30
40
50
30
15
60
80
100
60
30
200
250
4.5
10
(典型值) 。五
35
225
70
-0.85
-0.95
BSS69
BSS70
C
B
价值
-40
-40
-5
-200
-100
-50
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
参数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CES
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
电气特性(在T
AMB
= 25°C).
集电极 - 发射极击穿电压V
( BR ) CEO
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和电压
静态正向电流
传输比
BSS69
MAX 。 UNIT
V
V
V
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=-1mA
I
C
=-10µA
I
E
=-10µA
V
CES
=-30V
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA*
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA*
I
C
=-100µA,
I
C
=-1mA,
I
C
= -10mA ,V
CE
=-1V
I
C
=-50mA*,
I
C
=-100mA*,
I
C
=-100µA,
I
C
=-1mA,
I
C
= -10mA ,V
CE
=-1V
I
C
=-50mA*,
I
C
=-100mA*,
150
静态正向电流
传输比
BSS70
h
FE
300
跃迁频率
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
BSS69
BSS70
f
T
C
敖包
C
IBO
N
t
d
; t
f
t
s
t
f
兆赫
兆赫
pF
pF
dB
ns
ns
ns
I
C
= -10mA ,V
CE
=-20V
f=100MHz
V
CB
= -5V , F = 100kHz的
V
EB
= -0.5V , F = 100kHz的
I
C
=-100µΑ, V
CE
=-5V
R
S
= 1kΩ的, F = 10Hz的to15.7千赫
V
CC
= -3V ,我
C
=-10mA
I
B1
= I
B2
=-1mA
开关时间:延迟;上升
贮存时间
下降时间
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
µ
秒。占空比
2%
页码