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    BSS66RTA 参数 Datasheet PDF下载

    BSS66RTA图片预览
    型号： BSS66RTA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon]
    分类和应用： 晶体开关晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 37 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23 NPN硅平面媒体
    功率开关晶体管
    第2期？ 1995年9月
    7
    PARTMARKING细节？
    BSS66 -
    BSS67 -
    BSS66R -
    BSS67R -
    M6
    M7
    M8
    M9
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    t
    j
    :t
    英镑
    分钟。
    40
    60
    6
    50
    0.20
    0.30
    0.65
    20
    35
    50
    30
    15
    40
    70
    100
    60
    30
    250
    300
    4
    8
    （典型值） 。 6
    35
    200
    50
    0.85
    0.95
    BSS66
    BSS67
    C
    B
    价值
    60
    40
    6
    200
    100
    50
    330
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    °C
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CES
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    集电极 - 发射极击穿电压V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极饱和电压
    静态正向电流
    传输比
    BSS66
    MAX 。 UNIT
    V
    V
    V
    nA
    V
    V
    V
    V
    条件。
    I
    C
    =1mA
    I
    C
    =10µA
    I
    E
    =10µA
    V
    CES
    =30V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA*
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =1mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA*
    I
    C
    =100µA,
    I
    C
    =1mA,
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1V
    I
    C
    =50mA*,
    I
    C
    =100mA*,
    I
    C
    =100µA,
    I
    C
    =1mA,
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1V
    I
    C
    =50mA*,
    I
    C
    =100mA*,
    150
    静态正向电流
    传输比
    BSS67
    h
    FE
    300
    跃迁频率
    集电极 - 基极电容
    发射极 - 基极电容
    噪声系数
    BSS66
    BSS67
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    N
    t
    d
    ; t
    f
    t
    s
    t
    f
    兆赫
    兆赫
    pF
    pF
    dB
    ns
    ns
    ns
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =20V
    f=100MHz
    V
    CB
    = 5V ， F = 100kHz的
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 100kHz的
    I
    C
    = 100μA ，V
    CE
    =5V
    R
    S
    = 1kΩ的， F = 10Hz的to15.7千赫
    V
    CC
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    I
    B1
    = I
    B2
    =1mA
    开关时间：延迟;上升
    贮存时间
    下降时间
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    页码

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