SOT23封装N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期？ 1996年1月
PARTMARKING详细信息
7
- SA
BSS123
S
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
栅源电压
峰值栅极 - 源极电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
合计
T
j
:T
英镑
分钟。
价值
100
100
170
680
±
20
±
20
360
-55到+150
SOT23
单位
V
V
mA
mA
V
V
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅极电压
漏电流
静态漏源
通态电阻（ 1 ）
前锋
Transconductance(1)(2)
输入电容（ 2 ）
常见的来源
输出电容（ 2 ）
反向传输
电容（2）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号最小值。
BV
DSS
100
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
0.8
MAX 。单位条件。
V
I
D
= 0.25毫安，V
GS
=0V
2.8
50
15
60
10
6
V
nA
µA
µA
nA
Ω
mS
20
9
4
10
10
15
25
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=100mA
V
DS
= 25V ，我
D
=100mA
2.2
10
1
2
5
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
80
120
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
≈30V,
I
D
=280mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
对于典型特征图看ZVN3310F数据表。
3 - 70
ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
