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型号: BS2
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内容描述: SOT89 PNP硅平面达林顿晶体管 [SOT89 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 16 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT89 PNP硅平面
达林顿晶体管
第4期 - 1996年3月
特点
*快速切换
*高ħ
FE
PARTMAKING详细信息 -
BS2
7
BST61
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
豌豆脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-80
-60
-10
-1.5
-500
-100
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
mA
mA
W
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
发射极截止电流
集电极 - 发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
启动时间
关闭时间
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
EBO
I
CES
V
CE ( SAT )
分钟。
-80
-60
-10
-10
-10
-1.3
-1.3
-1.9
1K
2K
400的典型
典型1.5K
ns
ns
马克斯。
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
V
条件。
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0*
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
EB
= -8V ,我
E
=0
V
CE
= -60V ,我
C
=0
I
C
= 500毫安,我
B
=-0.5mA
I
C
= 500毫安,我
B
=-0.5mA
T
j
=150°C
I
C
= -500mA ,我
B
=-0.5mA
I
C
= -150mA ,V
CE
=-10V*
I
C
= -500mA ,V
CE
=-10V*
I
C
=500mA
I
BON
=I
B关
=-0.5mA
V
BE ( SAT )
h
FE
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
对于典型特征图看FZTA63 ( SOT223 )数据表。
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