BS250PSTZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BS250PSTZ
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内容描述：	[Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, E-LINE PACKAGE-3]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 84 K
品牌：	ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

BS250F

典型特征

-1.2

-1.0

GS =

-20V

-16V

-14V

-0.8

-0.6

-0.4

-7V

-0.2

-10

-20

-30

-40

-50

-6V

-5V

-4V

-12V

-10V

-9V

-8V

-1.0

-16V

-14V

-0.8

-12V

-0.6

-10V

-9V

-8V

-7V

-0.2

-6V

-5V

-4.5V

-2

-4

-6

-8

-10

- 漏电流（安培）

-0.4

- 漏源

电压（伏）

- 漏源

电压（伏）

输出特性

饱和特性

D（上） -

通态漏电流（安培）

DS-

漏源

电压（伏）

-10

-8

-6

400mA

-1.0

-0.8

DS = -

10V

-0.6

-4

-200mA

-0.4

-2

-0.2

-2

-4

-6

-8

-100mA

-10

-2

-4

-6

-8

-10

GS-

门源电压

（伏）

GS-

门源

电压（伏）

电压饱和特性

的RDS（on ） - 漏源导通电阻

(Ω)

传输特性

归一化ř

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

100

=-5V

-6V

-7V

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-40 -20

SIS

GS =

-10V

0.37A

-10V

-15V

-20V

艾因

门Thresh的

老

GS =

-1mA

电压V

（ TH ）

-10

-100

-1000

20 40 60 80 100 120 140 160 180

D-

漏极电流（mA ）

结温（ ° C）

导通电阻VS漏电流

归一化ř

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

与温度

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