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    BS170PSTOA 参数 Datasheet PDF下载

    BS170PSTOA图片预览
    型号： BS170PSTOA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关
    文件页数/大小： 1 页 / 25 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    N沟道增强
    模式垂直DMOS FET
    第2期 - 九月93
    特点
    * 60伏V
    DS
    * R
    DS （ ON）
    =5Ω
    BS170P
    D
    G
    S
    详阅ZVN3306A关于图
    电子线
    TO92兼容
    符号
    V
    DS
    I
    D
    I
    DM
    V
    GS
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    60
    270
    3
    ±20
    625
    -55到+150
    单位
    V
    mA
    A
    V
    mW
    °C
    绝对最大额定值。
    参数
    漏源电压
    连续漏电流在T
    AMB
    =25°C
    漏电流脉冲
    栅源电压
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    参数
    漏源
    击穿电压
    栅极 - 源
    阈值电压
    门体漏
    零栅极电压
    漏电流
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    分钟。
    60
    0.8
    3
    10
    0.5
    5
    200
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    nA
    µA
    Ω
    mS
    条件。
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    =0V
    I
    D
    = 1mA时， V
    DS
    =V
    GS
    VGS = 15V ，V
    DS
    =0V
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    =25V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =200mA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    =200mA
    静态漏源
    R
    DS （ ON）
    通态电阻（ 1 ）
    前锋
    g
    fs
    跨导（1）（ 2）
    输入电容（ 2 ）
    开启时间（ 2 ） （ 3 ）
    关断时间（ 2 ） （ 3 ）
    C
    国际空间站
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    60
    10
    10
    pF
    ns
    ns
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    =10V
    f=1MHz
    V
    DD
    ≈15V,
    I
    D
    =600mA
    （1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
    ≤
    2 ％ （ 2 ）样品测试
    （ 3）用50Ω源阻抗和<5ns测量开关时间的上升时间的脉冲发生器
    3-27

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