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BS107PT 参数 Datasheet PDF下载

BS107PT图片预览
型号: BS107PT
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS FET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关
文件页数/大小: 3 页 / 51 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
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BS107PT
典型特征
500
500
g
fs
-Transconductance (MS )
400
g
fs
-Transconductance (MS )
V
DS
=
25V
400
300
300
V
DS
=
25V
200
200
100
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
2
4
6
.8
10
I
D(上)
- 漏
电流(安培)
V
GS
-Gate - 源极电压(伏特)
跨导V漏电流
R
DS ( ON)
-
漏源
电阻(Ω )
跨导V栅源电压
V
GS
-
栅极 - 源
电压(伏)
10
I
D=
500mA
V
DS
= 50V 100V 180V
100
50
I
D=
500mA
5
250mA
I00mA
10
1
5
10
20
25mA
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0 2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Q-费( NC )
V
GS-
门源
电压(伏)
栅极电荷V栅源电压
2.4
栅极电荷V栅源电压
归一化ř
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
500
2.0
P
D
- 功率耗散( mW)的
1.6
1.2
0.8
ce
an
IST
es
eR
rc
ou
-S
艾因
Dr
n)
(o
DS
R
V
GS =
5V
I
D=
100mA
400
300
门牛逼
HRE
I
D=
-1mA
V
DS
=
V
GS
shold V
oltage
V
GS
200
( TH )
100
0.5
-50 -40 -20 0
20 40
60 80 100 120 140 150
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
T - 温度(℃ )
T
AMB
- 环境温度( ° C)
归一化ř
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
V温度
电源V温度降额曲线
3-26