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    BFN36TC 参数 Datasheet PDF下载

    BFN36TC图片预览
    型号： BFN36TC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管高压局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 45 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT223 NPN硅平面
    高压晶体管
    第4期 - 1996年1月
    7
    产品特点：
    *高V
    首席执行官
    与低饱和电压
    应用范围：
    *适用于电视机的视频输出级
    *开关电源
    互补式 - BFN37
    PARTMARKING详情 - BFN36
    BFN36
    C
    E
    C
    B
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    250
    250
    5
    500
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25°C).
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    25
    40
    40
    70
    1.5
    兆赫
    pF
    分钟。
    250
    250
    5
    100
    20
    100
    0.4
    0.9
    典型值。
    马克斯。
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    单位条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =1mA
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =200V
    V
    CB
    = 200V ，T
    AMB
    =150°C
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    I
    C
    = 20mA时，我
    B
    =2mA
    I
    C
    = 1mA时， V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 30mA时V
    CE
    =10V*
    I
    C
    = 20mA时， V
    CE
    =10V
    f=100MHz
    V
    CB
    =30V,f=1MHz
    µ
    A
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    过渡
    频率
    输出电容
    f
    T
    科博
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    对于典型特征图看FMMTA42数据表。
    3 - 46

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