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    BCX5316 参数 Datasheet PDF下载

    BCX5316图片预览
    型号： BCX5316
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 36 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT89 PNP硅平面
    中功率晶体管
    第4期 - 2001年3月
    BCX5316
    C
    赠阅TYPE - BCX5616
    PARTMARKING详细信息 - AL
    C
    B
    SOT89
    E
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    价值
    -100
    -80
    -5
    -1.5
    -1
    1
    -65到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射极导通
    电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    25
    100
    25
    150
    25
    分钟。
    -100
    -80
    -5
    -0.1
    -20
    -10
    -0.5
    -1.0
    典型值。
    MAX 。 UNIT
    V
    V
    V
    条件。
    IC = -100
    µ
    A
    IC = -10mA
    I
    E
    =-10
    µ
    A
    V
    CB
    =-30V
    V
    CB
    = -30V ，T
    AMB
    =150°C
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -5mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -150mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    兆赫
    pF
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-10V,
    f=100MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    V
    V
    250
    f
    T
    C
    敖包
    *脉冲条件下进行测定。
    TBA

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