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BCX19图片预览
型号: BCX19
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内容描述: NPN硅平面中功率晶体管 [NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 39 K
品牌: ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
   
SOT23 NPN硅平面
中功率晶体管
第4期 - 2001年3月
PARTMARKING细节?
BCX19 -
BCX19R -
BCX17
U1
U4
BCX19
互补类型 -
C
B
E
SOT23
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
峰值电流基地
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
I
BM
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
50
45
5
1000
500
100
200
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
基射极电压
集电极 - 发射极
饱和电压
静态正向电流
传输比
符号
I
CBO
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
100
200
10
nA
µ
A
条件。
V
CB
=20V
V
CB
= 20V ,T
j
=150°C
V
EB
=5V
I
EBO
µ
A
V
BE
V
CE ( SAT )
1.2
620
V
mV
I
C
= 500毫安,V
CE
=1V*
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA*
I
C
=10
0
毫安,V
CE
=1V
I
C
= 300毫安,V
CE
=1V*
I
C
= 500毫安,V
CE
=1V*
h
FE
100
70
40
200
600
跃迁频率
f
T
兆赫
I
C
= 10毫安,V
CE
=5V
F = 35MHz时
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
输出电容
C
敖包
5.0
pF
*脉冲条件下进行测定。
TBA