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    BCW68G 参数 Datasheet PDF下载

    BCW68G图片预览
    型号： BCW68G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面中功率晶体管 [PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 42 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BCW68G的Datasheet PDF文件第1页  
    BCW68
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    参数
    符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位条件。
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CES
    -45
    -60
    -5
    -20
    -10
    -20
    -0.3
    -0.7
    V
    I
    首席执行官
    =-10mA
    IC=-10
    µ
    A
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极
    截止电流
    发射极 - 基极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极饱和电压
    STATIC
    前锋
    当前
    转让
    BCW68F
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CES
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    N
    V
    nA
    µ
    A
    nA
    V
    V
    V
    I
    EBO
    =-10
    µ
    A
    V
    CES
    =-45V
    V
    CES
    = -45V ，T
    AMB
    =150°C
    V
    EBO
    =-4V
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA*
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-50mA*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-2V*
    -2
    100
    35
    160
    60
    250
    100
    100
    170
    250
    BCW68G
    250
    400
    BCW68H
    350
    630
    跃迁频率
    兆赫
    I
    C
    = -20mA ，V
    CE
    =-10V
    F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    V
    EB
    = -0.5V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -0.2mA ，V
    CE
    =- 5V
    R
    G
    =1K
    Ω,
    f=1KH
    ∆
    f=200Hz
    输出电容
    输入电容
    噪声系数
    12
    18
    80
    pF
    pF
    dB
    2
    10
    开关时间：
    开启时间
    打开-O FF时间
    t
    on
    t
    关闭
    100
    400
    ns
    ns
    I
    C
    =-150mA
    I
    B1
    =- I
    B2
    =-15mA
    R
    L
    =150
    Ω
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    *脉冲条件下进行测定。
    TBA

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