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    BCV26 参数 Datasheet PDF下载

    BCV26图片预览
    型号： BCV26
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面达林顿晶体管 [PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管PC局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 53 K
    品牌： ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
       
    SOT23封装PNP硅平面
    达林顿晶体管
    第3期？ 1995年9月
    特点
    *低饱和电压
    互补式 -
    PARTMARKING细节？
    BCV26 - BCV27
    BCV46 - BCV47
    BCV26 - ZFD
    BCV46 - ZFE
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    BCV46
    分钟。马克斯。
    -80
    -60
    -10
    -100
    -10
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    -100
    -1.0
    -1.5
    4K
    10K
    20K
    4K
    200的典型
    4.5典型
    -100
    -10
    -100
    -1.0
    -1.5
    2K
    4K
    10K
    2K
    200的典型
    4.5典型
    BCV26
    -40
    -30
    -10
    -800
    -500
    -100
    330
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    µ
    A
    µ
    A
    nA
    V
    V
    C
    BCV26
    BCV46
    E
    B
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    基极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    符号
    BCV46
    -80
    -60
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基
    击穿电压
    集电极截止
    当前
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    BCV26
    分钟。马克斯。
    -40
    -30
    -10
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    = 10毫安*
    I
    E
    =10
    µ
    A
    V
    CB
    = -30V
    V
    CB
    = -60V
    V
    CB
    =-30V,T
    AMB
    =150
    o
    C
    V
    CB
    =-60V,T
    AMB
    =150
    o
    C
    V
    EB
    =-4V
    I
    C
    =-100mA,I
    B
    =-0.1mA*
    I
    C
    =-100mA,I
    B
    =-0.1mA*
    I
    C
    =-100
    µΑ,
    V
    CE
    =-1V†
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -500mA ，V
    CE
    =-5V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-5V
    F = 20MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    发射基地
    截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    静态正向电流ħ
    FE
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    f
    T
    C
    敖包
    兆赫
    pF
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供这些设备的
    ??定期抽样测试而已。
    3 - 21

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